合肥物质院等团队制备约二十纳米厚的两类钌酸锶薄膜,利用时间分辨磁光测量比较其响应。自支撑薄膜约在一皮秒内完成单步退磁。
模型分析把退磁加快归因于应变释放后的磁矩变化;薄膜下方的纳米间隙则限制向衬底散热。成果为柔性自旋电子材料的界面设计提供参考。
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合肥物质院等团队制备约二十纳米厚的两类钌酸锶薄膜,利用时间分辨磁光测量比较其响应。自支撑薄膜约在一皮秒内完成单步退磁。
模型分析把退磁加快归因于应变释放后的磁矩变化;薄膜下方的纳米间隙则限制向衬底散热。成果为柔性自旋电子材料的界面设计提供参考。
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